Физические основы электроники
Задача №5. Положение уровня Ферми для Ag (серебра) при Т = 0К соответствует энергии ЕF = 5,5эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона.
Задача №15. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде галлия при 300К, если ширина его запрещенной зоны 1,43 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc=0,067mo, mv=0,48mo. Определить удельное сопротивление материала, если μn = 8500 см2/В с, μp =420 см2/В с.
Задача №25. Для идеального p-n- перехода определите: а) при каком напряжении обратный ток будет достигать 90% значения обратного тока насыщения при Т = 300К; б) отношение тока при прямом напряжении, U = 0,05 В, к току при том же значении обратного напряжения.
Задача №35. Красная граница фотоэффекта рубидия 810 нм. Какое задерживающее напряжение нужно приложить к фотоэлементу, чтобы ни одному из электронов, испускаемых рубидием под действием ультрафиолетовых лучей с длиной волны 100 нм, не удалось преодолеть задерживающее поле?
Задача №45. Изобразите энергетические диаграммы контактов металл-полупроводник при различных отношениях работы выхода электронов из металла (Ам) и из полупроводника (Аn) для случаев:
а) полупроводник p-типа, Ам > Аn;
б) полупроводник p-типа, Ам < Аn.
В каких случаях в полупроводнике образуются обедненные носителями заряда слои, а в каких – обогащенные? Что такое барьер Шотки?
Задача №55. Изобразите на одном графике характеристики собственной фотопроводимости для кремния и германия. Объясните различия в положении кривых.