Электротехника
Cрок выполнения : 3
Вид работы : Контрольная
Дисциплины:
Технические: Электроника, Схемотехника.
|
|
Добавлен 05.04.2012 21:07:46
Уникальность:
Доработка:
Подробно: 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Кратко: 1.Излучающие полупроводниковые приборы. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа.